7nm 未満のチップが高純度タンタル ターゲットに依存する理由-

半導体製造が 7nm 以下になるにつれて、材料はトランジスタの設計自体と同じくらい重要になってきます。高度なチップ製造における最大の課題の 1 つは、非常に小さな相互接続構造内の銅の拡散を制御することです。銅は優れた導電性を備えているため、最新のチップは銅の相互接続技術に大きく依存していますが、銅原子は移動性も高いです。熱ストレスや長期動作下では、-それらは周囲の誘電体層やシリコン層に徐々に拡散し、漏れ電流、不安定性、チップの信頼性の低下につながる可能性があります。古いプロセスノードでは、この問題は制御が容易でしたが、構造がわずか数ナノメートルで測定される 7nm 未満では、わずかな原子の移動でも歩留まりとデバイスのパフォーマンスに直接影響を与える可能性があります。

これが、高度な半導体製造において高純度タンタル バリア層が依然として重要である理由です。{0}薄いタンタル-ベースの膜が銅と周囲の構造の間に堆積され、電気的安定性を維持しながら拡散をブロックします。これらの層は非常に薄いですが、その性能は高度なチップ内の相互接続の信頼性に直接影響します。バリア層自体が薄くなるにつれて、タンタルターゲットの純度要件はさらに厳しくなります。微量の汚染、不安定な粒子構造、または一貫性のないスパッタリング動作はすべて、PVD 堆積中の膜の均一性に影響を与える可能性があります。高度な半導体生産では、以前は許容されていた小さな変動でも、現在ではウェーハ欠陥が生じたり、製造歩留まりが低下したりする可能性があります。このため、半導体-グレードのタンタルターゲットには、高純度だけでなく、製造プロセス全体を通じて高度に制御された密度、粒径、内部一貫性も必要です。

タンタル材料のサプライヤーにとって、本当の困難はもはや単にタンタル金属を製造することではありません。精製、電子ビーム溶解から鍛造、機械加工、最終ターゲットの作製まで、安定した加工品質を維持することが課題です。 AI チップ、ハイパフォーマンス コンピューティング、高度なパッケージング技術により半導体の複雑性は増大し続けるため、安定した高純度タンタル材料の需要は引き続き強いと予想されます。-さまざまな意味で、サブ 7nm チップ内のタンタルの重要性の高まりは、半導体業界全体にわたる広範な変化を反映しています。高度な製造は、設計能力だけでなく、材料工学自体によってもますます制限されています。

Shaanxi Zhongheng Weichuang Metal では、タンタル、ニオブ、ハフニウム、タングステン、チタン、半導体、真空、航空宇宙、高温用途向けの関連合金などの耐火性および高性能金属材料に注力しています。{0}{1}スパッタリング ターゲットまたは高度な産業用途用のタンタル材料を評価している場合、当社のチームは、技術仕様に基づいて標準およびカスタムの両方の処理要件をサポートできます。電子メール:zhwctanbc103@163.com